絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ぜつえんゲートバイポーラトランジスタ、英: insulated-gate bipolar transistor、IGBT）は半導体素子のひとつで、NPNPの4層からなりMOSゲートSCRまたはMOSゲートサイリスタ（英語版）と同じ構造でありながら、全動作領域でサイリ...

電界効果トランジスタ (FET) またはユニポーラトランジスタ ゲートの電圧（チャネルの電界）によって制御する方式のトランジスタである。ゲート電極が半導体酸化物の絶縁膜を介しているものを特に MOSFET という。 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ (IGBT) ゲート部に電界効果トランジスタ...

バイポーラジャンクショントランジスタ（英: Bipolar junction transistor; BJT）はトランジスタの一種である。日本ではバイポーラトランジスタ（英: Bipolar transistor）と呼ばれることが多い。N型とP型の半導体がP-N-PまたはN-P-Nの接合構造を持つ3...

誘導電動機を駆動するインバータのスイッチング用素子として1977年に初めて使用され、以後工業分野や電気鉄道などに多用されてきたが、2000年代以降では絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）にその地位を譲りつつある。理由としては以下が挙げられる。 ターンオフした際にアノード・カソード間に一時的に発生するスパイク...

ダイアック バリスタ エサキダイオード（トンネルダイオード） 素子のオン状態およびオフ状態を外部から与える信号によって任意に切り替えられることが出来るものを自己消弧素子という。 トランジスタ バイポーラトランジスタ 電界効果トランジスタ (FET) 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ (IGBT） ユニジャンクショントランジスタ...

トランジスタである。トランジスタの動作原理には大きく分けて二つの方式があり、電子と正孔の2種類のキャリアの働きによるバイポーラトランジスタに対して、FETはいずれか1種類のキャリアだけを用いるため、ユニポーラトランジスタと呼ばれる。 FETは、制御点であるゲート...

VVVFインバータのスイッチング素子として、低出力用はバイポーラトランジスタ、MOS-FET、大出力用はゲートターンオフサイリスタ(自己消弧型サイリスタ)や、より高速の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ (IGBT) が主として使用されている。さらに、IGBTよりオン時の抵抗が...

ランシェ電圧によって決まる。 Ron（オン抵抗） オン抵抗は、ソースからドレインまでキャリアが移動する経路の抵抗の総和で決められる。主な要素として、MOSのチャネル抵抗、Nエピタキシャル層の抵抗などがある。 電力用半導体素子 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ 表示 編集...

ゲート領域にシリコンの酸化膜とその上にゲート金属を形成し、ドレイン・ソース領域には高濃度の不純物を再度イオン注入し、p型（p+型）の半導体にする。 過去においては、空乏層による疑似交流キャパシターのみを持つバイポーラトランジスタや他の構造FETと比べると、ゲートの下に絶縁...

パワーエレクトロニクスに用いられる半導体デバイスには以下のようなものがある。 ダイオード パワートランジスタ サイリスタ ゲートターンオフサイリスタ パワーMOSFET 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ パワーモジュール ^ 大野 1997, p. 2. ^ 『パワーエレクトロニクス』 - コトバンク、『パワー・エレクトロニクス』...

バイスとも呼ばれ、整流ダイオード、パワートランジスタ（パワーMOSFET、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ (IGBT)）、サイリスタ、ゲートターンオフサイリスタ (GTO)、トライアックなどがある。通電制御の可否にかかわらず（理想的には）一方向に損失なく電流を流すことができる素子を「バルブデバイ...