威廉·肖克利（英語：William Shockley，1910年2月13日—1989年8月12日），出生於英国的美国物理学家和发明家，一生共获得50多项专利。 他和约翰·巴丁、沃尔特·布拉顿共同发明了電晶體。他并因此获得1956年的诺贝尔物理奖。1950年代至1960年代，他在推动電晶體商业化的同时...

肖克利二極體（英語：Shockley diode)，是一個四層半導體二極體，首批被發明的半導體元件之一；以其發明者物理學家威廉·肖克利名字命名。他是一個"PNPN"二極體。等效於沒有連接閘極的閘流體。 小信號肖克利二極體已不再生產，但是單向閘流體導通二極體，也就是反向開關二極體(dynistor)，使用於大電流電源裝置上的高速開關。...

肖克利半導體實驗室（英語：Shockley Semiconductor Laboratory），是貝克曼儀器公司（英语：Beckman Instruments）的一個部門， 是第一個為經營製造半導體裝置所設立的機構，後來發展演變為眾所周知的矽谷。1957年時，8位頂尖的科學家離開了實驗室，成立快捷...

威国王的英国国王。 威廉在1765年8月21日凌晨生于白金漢宮，是英王乔治三世和夏洛特王后所生第三子，1765年9月20日，他在圣詹姆斯宫大会议室受洗，教父和教母分别为他的叔父格洛斯特公爵和亨利王子（后为坎伯兰公爵）与姑母奥古斯塔公主（后为不伦瑞克-沃尔芬比特尔公爵夫人）。由于威廉...

Houser Brattain，1902年2月10日—1987年10月13日），美国近代物理学家，生於福建廈門。1947年與威廉·肖克利、约翰·巴丁因發明電晶體的貢獻，获得1956年诺贝尔物理学奖。 沃尔特·豪泽·布拉顿于1902年诞生于鼓浪屿。他的父母是美国夫妇罗斯·R·布拉顿...

在物理学中，肖克利-奎伊瑟极限（亦称细致平衡极限、精细平衡转换效率极限、SQ极限、或辐射效率极限）是使用单PN结的太阳能电池从电池中收集能量的理论最大效率，其中唯一能量损失的机制是太阳能电池中的辐射复合。它由威廉·肖克利和Hans-Joachim Queisser于1961年在肖克利半导体实验室首次计算得出，其結論為材料帶隙為1...

威廉·亨利·布拉格爵士，OM，KBE，FRS（英語：Sir William Henry Bragg，1862年7月2日—1942年3月10日），英国物理学家、化学家，1915年与其子威廉·劳伦斯·布拉格一同获得诺贝尔物理学奖。 威廉·布拉格1862年出生于英国威格顿。他先后在Market...

小威廉·法蘭克·巴克利（英語：William Frank Buckley Jr.，1925年11月24日—2008年2月27日），美國媒體人、作家、保守主義政治評論家，政論雜誌《國家評論》（National Review）創辦人。他一生的政治活動主要在於努力把傳統的政治保守派、自由放任經濟思想及反共...

威廉斯、卡洛斯·布泽尔與小麥克·鄧利維各自單季得到超過600分，之後2009-10賽季，Jon Scheyer、Kyle Singler與Nolan Smith（英语：Nolan Smith）再度達成威廉斯（841）與肖...

弗雷德里克·埃蒙斯·特曼（英語：Frederick Emmons Terman，1900年6月7日—1982年12月19日）是一位美國學者。他（與威廉·肖克利）被廣泛地認為是「矽谷之父」。 特曼完成化學大學學位並且取得斯坦福大學電機工程碩士學位。 他的父親路易·斯特曼（英语：Lewis...

威廉·亨利·哈里森（英語：William Henry Harrison；1773年2月9日—1841年4月4日）是美国军官兼政治家，曾于1841年当上第九任美国总统，但就职仅31天就因病去世，是首位任内逝世的美国总统，也是任职时间最短的美国总统。哈里森的致死病因至今仍有争议，可能是伤寒、肺炎或副傷...