高電子移動度トランジスタ（こうでんしいどうどトランジスタ、High Electron Mobility Transistor）は、半導体ヘテロ接合に誘起された高移動度の二次元電子ガス(2DEG)をチャネルとした電界効果トランジスタのことで、英語の単語の頭文字を取ってHEMT(ヘムト)と呼ばれる。1...

トランジスタ（英: transistor）とは、電子回路において、信号を増幅またはスイッチングすることができる半導体素子である。 1940年代末に実用化されると、真空管に代わってエレクトロニクスの主役となった。論理回路を構成するための電子部品としては最も普及しており、集積回路（IC）の多くは微細な...

トランシーバーにおいて、送受信に使用される各種回路（LNA（英語版）、フィルタ、ミキサ等）として使用され、アナログスイッチや電子ボリュームなどにも応用される。極超短波以上ではシリコンよりもキャリアの移動度が高いヒ化ガリウム (GaAs) のような化合物半導体などを用いた電界効果トランジスタ(FET)が用いられている。...

device）とは、半導体で作られた電子回路の構成要素である。半導体デバイスともいう。 種類ごとに電気的特性と機能を持っており、基本素子として整流機能を有するダイオード、増幅機能を有するトランジスタ、スイッチング機能を有するサイリスタ等がある。 またシステム的なものとして、トランジスタ...

IEEEマイルストーン（アイトリプルイー マイルストーン）は、IEEEが電気・電子・情報技術やその関連分野の歴史的偉業に対して行う顕彰活動の一つである。認定要件として25年以上に渡って世の中で高く評価を受けてきたという実績が必要である。1983年に制定され、2017年2月までで174件が認定されている。...

C_{OX}} ：単位面積あたりのゲート酸化膜容量 μ n {\displaystyle \mu _{n}} ：電子移動度 μ p {\displaystyle \mu _{p}} ：正孔移動度 λ {\displaystyle \lambda } ：チャネル長変調係数...

移動度（いどうど）とは、電場により、荷電粒子が移動するときの、移動のしやすさを示す値 電子移動度 - 固体中での電子や正孔の移動度。 高電子移動度トランジスタ - 電界効果トランジスタの一種。 イオン移動度 - 液体中でのイオンの移動度。 このページは曖昧さ回避のためのページです。一つの語句が複数の...

移動することで正孔の位置は自由に移動でき、 電圧に応じて電子とは逆方向へ流れる。移動度は電子に比べて劣る。バンド構造で言えば、ドーパント原子は禁制帯の下端付近にアクセプター準位と呼ばれる空の準位を形成し、アクセプター準位へ価電子帯から熱エネルギーによって価電子が励起されることで、価電子...

られる。化合物半導体はヒ化アルミニウムガリウム(AlGaAs)のように3つの元素を組み合わせることにより広い範囲の波長が実現できる。 高電子移動度トランジスタは、電子親和力の違う2つの半導体をヘテロ接合することにより作製される。一般的に、この2つの半導体は共に化合物半導体である。 [脚注の使い方] ^...

81。半導体材料としての性質は、1.35eVのバンドギャップを持つIII-V族半導体であり、電子移動度は<0.54m2/Vs、ホール移動度は<0.02m2/Vsである。高電界下での電子移動度はシリコンやヒ化ガリウムより高い値となる。 リン化インジウムは単結晶基板として用いられるが、ヒ化ガリウムやリン化ガリウムに比べる...

現されている。1979年に富士通の三村高志らによって高電子移動度トランジスタ(HEMT)が開発された。当時は作動原理は完全には解明されていなかったが、1982年、ダニエル・ツイ、ホルスト・ルートヴィヒ・シュテルマー、アーサー・ゴサードらはこの電子系に対して強い磁場（>10 T）を加え、1 K程度以下にまで冷却して電気抵抗率...