擊穿電壓，是使某一絕緣介質在一段時間內成為導體所需加入的電壓的最低值。當加於某一絕緣介質的電壓足够高時，這時該絕緣介質便會發生電擊穿，使電流可以通過。 一股突發的電流可以永久地轉變固態絕緣體中的分子結構，從而於物質中產生一道較易導電的路徑。而一種絕緣體的擊穿電壓...

電擊穿或是电致击穿，指的是當加在某一絕緣介質上的電壓高於過一定程度（擊穿電壓）後，這時絕緣介質會發生突崩潰而使其電阻迅速下降，繼而使得一部分絕緣介質變為導體。 電擊穿需要有足够的電壓，可以只在瞬間存在，例如靜電放電；也可能持續一段時間，例如在配電電路中發生的電弧現象等。在有效的擊穿電壓下，電擊穿...

帕邢定律（英語：Paschen's law);二电极间开始形成电弧或放电的击穿电压是气体的压力和电极距离乘积的函数，通常写成； V = f ( p d ) {\displaystyle V=f(pd)} . 此处；p是气体的压力；d是电极的距离。 帕邢找到此函数的形式是 V = a p d / ln...

度极低，相应地电导也极低，或者说这种材料绝缘。 理論上是如此，然而，實際上对于绝缘体，总存在一个击穿电压，这个电压能给予价带电子足够的能量，将其激发到导带。一旦超过了击穿电压，这种材料就不再绝缘了。击穿通常伴随着破坏材料绝缘性的物理或化学变化。 以上讨论仅涉及电子导电。除了不存在电子导电，绝缘体中...

电压后（在硅材料中一般为100-200 V），利用电离碰撞（雪崩击穿）效应，可在APD中获得一个大约100的内部电流增益。某些硅APD采用了不同于传统APD的掺杂等技术，允许加上更高的电压(>1500 V)而不致击穿，从而可获得更大的增益(>1000)。一般来说，反向电压...

与主结极性相同、环状分布的杂质区，从而抑制主结边缘由曲率效应引起的电场集中，以分压的方式将电压逐渐降低，达到提高器件击穿电压的技术。场限环与主结以及其它电极并没有电接触，因此又称为浮空场限环。 当主结加反向电压时，主结与环结的电场与电位分布可用半导体表面的二维泊松方程求解： ∂ E x ∂ x | x...

电压功能，因此又称为“稳压二極體”（英語：regulator diode）。 齐纳二極體的名稱是取自美國理論物理學家克拉倫斯·梅爾文·齐纳，他首先闡述了絕緣體的電擊穿特性，後來貝爾實驗室運用這項發現，開發出此種二極體，並以齐纳作為命名以茲紀念。 一般二極體正向導通時電壓可維持在0...

Semiconductor，缩写：LDMOS）经常被用于微波/射频电路，制造于高浓度掺杂硅基底的外延层上。 LDMOS常被用于制作基站的射频功率放大器，原因是它可以满足高输出功率、栅源击穿电压大于60伏的要求。与其他器件（如GaAs場效電晶體）相比，LDMOS功放极大值的频率相对较小。LDMOS技术的生产制造商包括台灣積體電路製造公司（...

Intertechnology）的註冊商標TransZorbs。 TVS二极管有以下的規格： 漏電流：在電壓小於最大反向關斷電壓時，可以導通的電流。 最大反向關斷電壓：在此電壓以下，導流電流不明顯 擊穿電壓：會出現顯導通電流的電壓。 箝位電壓：導通電流會到其額定電流（數百到數千安培）的電壓。...

種介質時，空气中的各种微粒互相碰撞和摩擦便會使該空气介質兩面的正負电荷的量持續积累，這時加於該空气介質的电压也會同時增加，當局部电压达到当时条件下空气的擊穿電壓時，該空气介質的局部便會發生电击穿而持續成為等離子體，使電流能夠通過原本絕緣的空气。這時通過空气的電流也會將空氣急劇加熱，使空气膨脹而產生雷聲。...

雪崩击穿（英語：Avalanche breakdown），是指對一些绝缘体或半導體施加足夠的電壓時，流過它們的電流突然增大。這主要與金屬原子外自由運動的電子有關。大部分的絕緣體或半導體載運電流的能力受限於能夠在原子外中自由運動的電子的不足，而強大的電流所產生的電子能夠擊...