值最大可以到200V。现行技术也可以制造出反向偏压更高的肖特基二极管，但是其导通电压也会升高到和普通二极管相同的水平，因此除非是需要高切换速度的场合，这种二极管在应用中没有优势。 碳化硅肖特基二极管是一种新型的肖特基二极管，与传统的硅質二极管相比，其反向漏电流更低、反向耐压更高，但导通电压也更高（25°C时的导通电压为1...

肖特基势垒（英語：Schottky barrier），是指具有整流特性的金属-半导体界面，就如同二极管具有整流特性。肖特基势垒（障壁）相較於PN接面最大的区别在於具有較低的接面电压，以及在金属端具有相當薄的(几乎不存在)耗尽层寬度。 並非所有的金属-半导体接面都是具有整流特性的，不具有整流特性的金...

二极管的老式音频设备有回潮的迹象，如家用音响系统甚至是吉他效果器。 电路图中用于二极管的图标如下图表所示。 二极管 发光二极管 (LED) 光电二极管 肖特基二极管 瞬态抑制二极管 (TVS) 隧道二极管 變容二极管 齐纳二极管 点接触式二极管和下文所述的面接触式二极管...

变容二极管（英語：Varicap diode），又稱变容二极管、可变电容二极管、可变电抗二极管或调谐二极管，是电子学中一种旨在利用反向偏置p-n 结电压相关电容的二极管。 变容二极管用作压控电容器。它们通常用于压控振荡器、参量放大器和倍频器。 压控振荡器有许多应用，例如调频发射机的频率调制和锁相环...

，也可能沒有整流功能。沒有整流功能的接面稱為歐姆接觸，會有線性的電壓電流關係。有整流接面的電子元件包括有pn二極體（英语：p–n diode）、肖特基二极管或是双极性晶体管。 接面也可以依接面二側材料的差異程度來分類，異質接面是由兩層以上不同的材料薄膜依次沉積在同一基座上形成，這些材料具有不同的能帶...

将一个常开GaN晶体管和一个低电压硅MOSFET整合构成的级联对 在AlGaN/GaN异质结采用p型层做为顶部 它们也被用于军事电子设备，如有源电子扫描阵列雷达。 化合物半导体 肖特基二极管 半导体器件 分子束外延 外延 (晶体) 硝酸鎵 T. Harafuji and J. Kawamura. Molecular dynamics...

法是將標準的二極體改為電壓降非常低（約0.3V）的肖特基二极管。不過就算是肖特基二极管，在大電流及小電壓時，其功率損失仍然會比主動整流要大。 若處理很低電壓的轉換器，例如電腦中央处理器的降压变换器（輸出電壓約為1伏特，輸出電流為數安培）。肖特基二极管所產生的損失太大，因此無法達到所需的效率。在這類的應用裡，需要用到主動整流技術。...

然而，在半导体中，正负电荷的密度较低，无法完全抵消外加电场，所以外加电场会在半导体材料表面附近改变材料的导电性，这被称为“场效应”。场效应应用于肖特基二极管，场效应晶体管（主要指的是MOSFET，JFET和MESFET）。 表面的导电性和能带弯曲 在外加电场的作用下，接近半导体表面一定深度下的电子能...

些參數被認為是缺陷“指紋”，用於對其進行識別和分析。 DLTS研究了簡單電子設備的空間電荷（耗盡）區域中存在的缺陷。最常用的是肖特基二極管或PN接面。在測量過程中，穩態二極管的反向極化電壓會受到電壓脈衝的干擾。該電壓脈衝減小了空間電荷區域中的電場並允許自由載流子半導體塊中的雜質從該區域滲透並對該缺陷...

开放晶格的金属更小，对于原子紧密堆积的金属更大。范围大概是1.5–6 eV。某种程度上稠密晶面比开放晶格金属更高。 在电子学里功函数对设计肖特基二极管或发光二极管中金属-半导体结以及真空管非常重要。 很多基于不同物理效应的技术被发展出来测量样品的电学功率函数。可以区分出两类功函数测量的试验方法：绝对测量和相对测量。...

」、「導通」或「不導通」、「低阻抗」或「高阻抗」等。 二極體可以視為開關，順向偏壓時可以導通，逆向偏壓時不導通（高阻抗）。有些特別的二極體（像是肖特基二极管及1N4148）可以快速切換，會稱為「開關二極體」。 真空管可以用在高壓的應用。 電晶體可以以類似開關的方式來使用。雙極性電晶體（BJT）的飽和區及截止區可以視為是開關的開及關。...