化學氣相沉積（英語：chemical vapor deposition，簡稱CVD）是一種用來產生純度高、性能好的固態材料的化學技術。半導體產業使用此技術來成長薄膜。典型的CVD製程是將晶圓（基底）暴露在一種或多種不同的前趨物下，在基底表面發生化學反應或/及化學分解來產生欲沉積...

有機金屬化合物化學气相沉積法(MOCVD, Metal-organic Chemical Vapor Deposition)，是在基板上生长半導體薄膜的一種方法。 其他類似的名稱如：金属-有机化合物/金属有机化合物气相外延生长法（MOVPE，Metal-organic Vapor-Phase Epitaxy；OMVPE...

物理气相沉积（英語：Physical vapor deposition，PVD）是一種工業製造上的工藝，屬於鍍膜技術的一種，是主要利用物理方式來加熱或激發出材料过程来沉积薄膜的技术，即真空鍍膜(蒸鍍)，多用在切削工具與各種模具的表面處理，以及半導體裝置的製作工藝上。 和化学气相沉积相比，物理气相沉积...

沉積可能是指以下： 地球科學 沉積物：由流體流動所移動的微粒，並最終成為在水或其他液體底下的一層固體微粒。 沉积岩：沉積物受到高壓的成岩作用形成的岩石。 沉积学：為研究沉積物的科學。 沉积相：沉積物的生成環境、生成條件和其特徵的總和。 材料科學 物理气相沉积：形成薄膜的一種方法 化学气相沉积：用來產生純度高、性能好的固態材料的化學技術。...

原子层沉积（英文：Atomic layer deposition）是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法。原子层沉积与普通的化学沉积（化学气相沉积）有相似之处。但在原子层沉积过程中，新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的，这种方式使每次反应只沉积一层原子。原子层沉积...

沉积的技术常常被使用。例如：用电解法提纯铜，硅沉积，铀的提纯中都用到了类似于化学气相沉积的过程。 沉积可大略分为 物理沉积（PVD）与 化学沉积(CVD)两种。 原理 在高真空的容器中、将欲沉积的材料加热直至汽化升华、并使此气体附着于放置在附近的基板表面上、形成一层薄膜。依沉积...

沉积各种金属和非金属薄膜的表面处理工艺。可以分为真空蒸镀、真空溅射镀、真空离子镀。 气相沉积是将含有沉积元素的气相物质，通过物理或化学的方法沉积在材料表面形成薄膜，分物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD)两大类。激光化学气相沉积（LCVD）可制备优质的金刚石膜；激光物理气相沉积...

乙酰丙酮铟是铟的乙酰丙酮配合物，化学式为In(C5H7O2)3，或简写为In(acac)3。 乙酰丙酮铟和乙酰丙酮亚锡可以用常压化学气相沉积法制备氧化铟锡薄膜。得到的薄膜是透明的和导电的，厚度约为200 nm。铜铟镓二硒化物（CIGS）也可以乙酰丙酮铟为原料制备出来。用In(acac)3和硫化氢反应，通过原子层化学气相沉积...

氮化鋁銦鎵的化學式是InGaAlN，是以氮化鎵為基礎的半導體，常用磊晶成長的方式製成，像是有机金属化学气相沉积法（MOCVD）、分子束外延（MBE）、脉冲激光沉积（PLD）等方式。此材料用在特別的光電應用中，像是藍光雷射LED及藍光LED等。 Aluminum Gallium Nitride - an...

化学气相沉积法制备的具有聚二甲撑苯撑结构的聚合物薄膜的统称，它有极其优良的电性能、耐热性、耐候性和化学稳定性，主要有 Parylene N（聚对二甲苯）、Parylene C（聚一氯对二甲苯）和 Parylene D（聚二氯对二甲苯）三种。它是采用真空热解气相...

表面改性技术（Surface modification）是仅对材料的表面进行处理的技术，如渗碳（或渗氮）、喷丸、激光处理、离子注入、表面涂层法、阳极氧化、化学气相沉积、物理气相沉积等等。...