電界効果トランジスタ（でんかいこうかトランジスタ、Field effect transistor, FET）は、半導体の内部に生じる電界によって電流を制御する方式のトランジスタである。 微細かつ平面的なものを大量に製造する技術が確立されており、集積回路に搭載されている半導体素子としては最も一般的であ...

電界効果トランジスタ (FET) またはユニポーラトランジスタ ゲートの電圧（チャネルの電界）によって制御する方式のトランジスタである。ゲート電極が半導体酸化物の絶縁膜を介しているものを特に MOSFET という。 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ (IGBT) ゲート部に電界効果トランジスタ...

イオン感応性電界効果トランジスタ（イオンかんのうせいでんかいこうかトランジスタ）とは、溶液中の特定イオンに選択的に応答し、その濃度に対応する電気信号を出力するセンサである。従来のイオン電極と高入力抵抗増幅器とを集積化したものといえる。 従来のイオンセンサは化学工業や臨床医学の分野で普及しており、早...

有機電界効果トランジスタ（ゆうきでんかいこうかトランジスタ、OFET）とは有機半導体を活性層に用いた電界効果トランジスタのことである。OFETは真空蒸着や溶液塗布によって作成することができ、低コストかつ大面積な電子製品の実現をめざして開発が進められている。OFETにはさまざまな種類があるが、最も一般...

薄膜トランジスタ（はくまくトランジスタ、thin film transistor、TFT）は、電界効果トランジスタ（field effect transistor、以下FET）の1種である。基本的に三端子素子（バックゲート端子 (B) が存在しない）である。主に液晶ディスプレイ (LCD)...

電界効果トランジスタ（FET）などのユニポーラトランジスタと異なり、正・負両極のキャリアをもつためバイポーラと呼ばれる。 最初に広く使われたトランジスタであるため、単にトランジスタと言うときにはバイポーラトランジスタを指すことが多い。バイポーラトランジスタという呼び名は、後に FET...

信号電圧はバイアス電圧、ピンチオフ電圧、接合部耐圧を超えることがあり、その限界は散逸に依存する。信号電流はチャネル抵抗に反比例して流れる。信号は空乏層を変調しないので、電界効果四極トランジスタは高い周波数で機能する。同調比は非常に大きくすることができ、対称的なピンチオフ条件では、高抵抗の限界はメガオームの域に達する。 ^ Tetrode...

は、高感度化に加え小型化や集積化にも利点を有する電界効果トランジスタ(FET)を応用したバイオセンサーで、ゲート絶縁膜上に固定されたプローブ分子との特異的な相互作用に基づいて吸着した検出対象物質の電荷を電気信号へ変換する。 既に1980年代から開発が進められていて、近年ようやく普及しつつある。イオン感応性電界効果トランジスタ...

MOSFET（金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ・英: metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）は、電界効果トランジスタ (FET) の一種で、LSIの中では最も一般的に使用されている構造である。材質としては、シリコンを使用するものが一般...

う。時間によって変化しない電場を静電場（せいでんば）または静電界（せいでんかい）とよぶ。 電界強度は電位の勾配に相当し、単位を[V/m]とすることもある。電界強度分布を長さで積分すると電位差｜電圧が得られる。例えばアンテナの実効長と平均電界強度との積はアンテナの誘起電圧となる。...

3 (119): 12-19, (2009), http://floadia.com/column/semi_2.pdf  ^ アメリカ合衆国特許第 2,524,035号 バイポーラトランジスタ 電界効果トランジスタ ウィキメディア・コモンズには、点接触型トランジスタに関連するカテゴリがあります。...