IGBT транзистор – Уикипедия

Напречен разрез на типичен IGBT, показващ вътрешна връзка на MOSFET с биполярния транзистор.

IGBT транзистор или само IGBT (от английски: insulated-gate bipolar transistor) представлява полупроводниково устройство с три извода което се състои схемно от биполярен транзистор, управляван от полеви транзистор с изолиран гейт. Съчетава много висок входен импеданс на полевия транзистор с големите токове, които може да превключва биполярния транзистор.[1] Ползва се във всички съвременни електромобили и изобщо схеми с превключване на големи токове.

Източници

[редактиране | редактиране на кода]
  1. ↑ Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Basics. Abdus Sattar, IXYS Corporation Архив на оригинала от 2018-07-12 в Wayback Machine..
Тази статия за електрическо устройство все още е мъниче. Помогнете на Уикипедия, като я редактирате и разширите.
Нормативен контролРедактиране в Уикиданни
Взето от „https://bg.wikipedia.org/w/index.php?title=IGBT_транзистор&oldid=12246232“.