Silicon on insulator – Wikipedia

Den här artikeln behöver källhänvisningar för att kunna verifieras. (2019-10) Åtgärda genom att lägga till pålitliga källor (gärna som fotnoter). Uppgifter utan källhänvisning kan ifrågasättas och tas bort utan att det behöver diskuteras på diskussionssidan.

Silicon on insulator, SOI är en tillverkningsmetod för halvledare. Resultatet är ett chip i flera lager med omväxlande halvledande kisel och isolerande material. Detta används för att minska parasiterande kapacitans.

Det isolerande materialet är oftast kiseldioxid eller safir.