Нітрид галію — Вікіпедія

Нітрид галію
Назва за IUPAC Нітрид галію
Ідентифікатори
Номер CAS 25617-97-4
PubChem 117559
Номер EINECS 247-129-0
RTECS LW9640000
SMILES [Ga]#N
InChI 1/Ga.N/rGaN/c1-2
Властивості
Молекулярна формула GaN
Молярна маса 83,73 г/моль
Зовнішній вигляд жовтий порошок
Густина 6,15 г/см3
Тпл >2500 °C[1]
Розчинність (вода) реагує
Показник заломлення (nD) 2.429
Структура
Кристалічна структура вюртцит
C6v4-P63mc
Координаційна
геометрія
тетраедрична
Небезпеки
Індекс ЄС не числиться
Температура спалаху не займається
Пов'язані речовини
Інші аніони фосфід галію
арсенід галію
антимонід галію[en]
Інші катіони нітрид бору
нітрид алюмінію[en]
нітрид індію[en]
Пов'язані речовини Арсенід галію алюмінію[en]
арсенід індію галію[en]
Фосфід арсенід галію[en]
Нітрид алюмінію галію[en]
Нітрид індію галію[en]
Якщо не зазначено інше, дані наведено для речовин у стандартному стані (за 25 °C, 100 кПа)
Інструкція з використання шаблону
Примітки картки

Нітрид галію (GaN) — прямозонний AIIIBV напівпровідник з шириною забороненої зони 3,4 еВ, що знайшов широке використання в блакитних світлодіодах.

Нітрид галію є твердим стабільним матеріалом зі структурою вюртциту, високою теплоємністю та теплопровідністю[3]. Завдяки широкій забороненій зоні нітрид галію використовується для виробництва світлодіодів та лазерів, що випромінюють в ультрафіолеті та блакитній області спектру. Для виробництва діодів використовуються тонкі плівки матеріалу, вирощені на сапфірі або карбіді кремнію. Для отримання провідності n-типу його легують кремнієм або киснем, для провідності p-типу — магнієм.

Примітки

[ред. | ред. код]
  1. Harafuji, Kenji; Tsuchiya, Taku; Kawamura, Katsuyuki (2004). Molecular dynamics simulation for evaluating melting point of wurtzite-type GaN crystal. Appl. Phys. 96 (5): 2501. Bibcode:2004JAP....96.2501H. doi:10.1063/1.1772878.
  2. Bougrov V., Levinshtein M.E., Rumyantsev S.L., Zubrilov A., in Properties of Advanced Semiconductor Materials GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe. Eds. Levinshtein M.E., Rumyantsev S.L., Shur M.S., John Wiley & Sons, Inc., New York, 2001, 1–30
  3. Akasaki, Isamu; Amano, Hiroshi (1997). Crystal Growth and Conductivity Control of Group III Nitride Semiconductors and Their Application to Short Wavelength Light Emitters. Japanese Journal of Applied Physics. 36 (Part 1, No. 9A): 5393—5408. doi:10.1143/JJAP.36.5393. ISSN 0021-4922.