一碲化锗 - 维基百科,自由的百科全书
一碲化锗 | |
---|---|
别名 | 碲化锗(II) |
识别 | |
CAS号 | 12025-39-7 |
PubChem | 16213264 |
ChemSpider | 74888 |
SMILES |
|
InChI |
|
InChIKey | GPMBECJIPQBCKI-UHFFFAOYAU |
性质 | |
化学式 | GeTe |
摩尔质量 | 200.21 g·mol⁻¹ |
外观 | 固体 |
密度 | 6.14 g/cm3 |
熔点 | 725 °C(998 K) |
能隙 | 0.6 eV [1] eV |
折光度n D | 5 |
结构 | |
晶体结构 | 菱方, hR6 |
空间群 | R3m, No. 160 |
晶格常数 | a = 4.1719 Å, c = 10.710 Å |
相关物质 | |
其他阴离子 | 一氧化锗 一硫化锗 一硒化锗 |
若非注明,所有数据均出自标准状态(25 ℃,100 kPa)下。 |
一碲化锗是一种无机化合物,化学式为GeTe。它是一种半金属导体,具有铁电性质。[2]
它主要存在三种晶型,室温的α型(菱方)和γ型(正交),以及高温的β型(立方,岩盐型),其中α相是纯GeTe在铁电居里温度670 K下最常见的相。[3][4]
掺杂的一碲化锗是低温超导体。[5]
参考文献
[编辑]- ^ R. Tsu; et al. Optical and Electrical Properties and Band Structure of GeTe and SnTe. Phys. Rev. 1968, 172 (3): 779–788. Bibcode:1968PhRv..172..779T. doi:10.1103/PhysRev.172.779.
- ^ A. I. Lebedev; I. A. Sluchinskaya; V. N. Demin; I. H. Munro. Influence of Se, Pb and Mn impurities on the ferroelectric phase transition in GeTe studied by EXAFS. Phase Transitions. 1997, 60 (2): 67 [2021-02-15]. doi:10.1080/01411599708220051. (原始内容存档于2016-03-03).
- ^ E. I. Givargizov; A.M. Mel'nikova. Growth of Crystals. Birkhäuser. 2002: 12. ISBN 0-306-18121-5.
- ^ Pawley, G.; Cochran, W.; Cowley, R.; Dolling, G. Diatomic Ferroelectrics. Physical Review Letters. 1966, 17 (14): 753. Bibcode:1966PhRvL..17..753P. doi:10.1103/PhysRevLett.17.753.
- ^ Hein, R.; Gibson, J.; Mazelsky, R.; Miller, R.; Hulm, J. Superconductivity in Germanium Telluride. Physical Review Letters. 1964, 12 (12): 320. Bibcode:1964PhRvL..12..320H. doi:10.1103/PhysRevLett.12.320.