磷化銦 - 维基百科,自由的百科全书
磷化銦 | |
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别名 | Indium(III) phosphide |
识别 | |
CAS号 | 22398-80-7 ![]() |
PubChem | 31170 |
ChemSpider | 28914 |
SMILES |
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InChI |
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InChIKey | GPXJNWSHGFTCBW-HIYQQWJCAF |
性质 | |
化学式 | InP |
摩尔质量 | 145.792 g·mol⁻¹ |
外观 | 黑色立方晶體 |
密度 | 4.81 g/cm3(固體時) |
熔点 | 1062 °C(1335 K) |
溶解性 | 微溶於酸[1] |
能隙 | 1.344(300 K,直接帶隙) eV |
电子迁移率 | 5400 cm2/(V·s) (300 K) |
熱導率 | 0.68 W/(cm·K) (300 K) |
折光度n D | 3.1 (紅外線); 3.55 (632.8 nm)[2] |
结构 | |
晶体结构 | 閃鋅礦結構 |
晶格常数 | a = 5.8687 Å [3] |
配位几何 | 四面體 |
热力学 | |
ΔfHm⦵298K | -88.7 kJ/mol |
S⦵298K | 59.8 J/(mol·K) |
热容 | 45.4 J/(mol·K)[4] |
危险性 | |
MSDS | External MSDS |
欧盟编号 | 未列出 |
主要危害 | 有毒,會水解為磷化氢 |
相关物质 | |
其他阴离子 | 氮化銦 砷化銦 銻化銦 |
其他阳离子 | 磷化鋁 磷化鎵 |
相关化学品 | 磷化銦鎵 磷化鋁鎵銦 砷銻磷化鎵銦 |
若非注明,所有数据均出自标准状态(25 ℃,100 kPa)下。 |
磷化銦(Indium phosphide,InP)是由磷和銦組成的二元半導體材料,磷化銦和砷化鎵及大部份的三五族半導體相同,都是面心立方(闪锌矿)晶體結構。
製備
[编辑]用途
[编辑]磷化銦因為電子速率較常見的矽半導體及砷化鎵都要高,可用在高功率高頻的電子電路中。磷化銦因為有直接带隙,適合作像雷射二極體等光電工程元件。磷化銦也用在銦鎵砷為基礎的光電元件中的磊晶基板。
化學
[编辑]在面心立方(闪锌矿)晶體結構的化合物中,磷化銦有最長壽命的光學声子[6]。
參考資料
[编辑]- ^ Template:Citation book
- ^ Sheng Chao, Tien; Lee, Chung Len; Lei, Tan Fu, The refractive index of InP and its oxide measured by multiple-angle incident ellipsometry, Journal of Materials Science Letters, 1993, 12 (10): 721, doi:10.1007/BF00626698.
- ^ Basic Parameters of InP. [2015-09-12]. (原始内容存档于2015-09-24).
- ^ Template:Citation book
- ^ Indium Phosphide at HSDB. [2020-09-15]. (原始内容存档于2016-01-06).
- ^ Bouarissa, Nadir. Phonons and related crystal properties in indium phosphide under pressure. Physica B: Condensed Matter. July 2011, 406 (13): 2583–2587 [22 March 2013]. doi:10.1016/j.physb.2011.03.073.
外部連結
[编辑]- Extensive site on the physical properties of indium phosphide (页面存档备份,存于互联网档案馆) (Ioffe institute)
- InP conference series (页面存档备份,存于互联网档案馆) at IEEE
- Indium Phosphide and Indium Gallium Arsenide Help Break 600 Gigahertz Speed Barrier (页面存档备份,存于互联网档案馆) (2005 news)
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